평형상태에서 접촉전위차와 접합하였으때의 접촉전위차의 에너지 대역도 설명좀 해주세요 . pn 접합을 했을때 p형의 다수캐리어인 정공과 n형의 다수캐리어인 전자 로 접합을 하면 공간전하 영역이 형성되는데 p형의 고농도와 n형의 저농도에서 확산 전류가 형성 되게 되는데 n형의 저농도에서 p형의 고농도로 표동전류가 형성되어 전계가 형성되어 확산 전류가 흐르면 전기장은 반대로 흐르는데 그 전계로 농도에 의해서 vo가 형성되게 되고 반대의 에너지 대역도를 나타나게는데 에너지 대역도에서 vo의 기울기를 형성은 내부의 턴온 전압에 의해서 기울기는 반대로 왼쪽으로 기울기가 형성하게 됩니다. 여기에서 평형 상태에서 p형과 n형의 반도체에서 접합을 한했음때의 에너지 대역도 에서는 폴리에 벡타 적원리와 양자학으로 실리콘의 모델로 14개 의 전자가 있고 그중에서 10개 속박되어저 있으며 4개가 최외각전자가 있으며 4개가 6개 의 스테이트에 2개 가 4개의 스테이트에 2개가 있고 높은 에너지 준위로 스핀되어 6개의 스테이트와 4개의 스테이트가 스핀하면 서 2개 2개로 나누어 지는데 여기 서 잘 모르겠습니다. 이어 나가지를 못하네요 ㅜㅜ 가르처 주세요 . |
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