반도체 이론을 공부하는 일반인 입니다.
공부하는 도중 의문이 생겼는데 도통 해결의 기미가 보이지 않아서 이렇게 글을 올립니다.
반도체 접합시 접합 부근에 밴드 휨이 생기더군요.
이를 bending 이라고 하던데요.
밴딩이 일어나는 이유가 페르미 준위가 평형 상태 때 같아지기 때문이라고 만 나와 있습니다.(공부하는 책 상에서요.)
문제는 아래와 같습니다.
1. pn접합시의 밴드 다이어그램 상에 p타입과 n타입의 전도대와 가전자 대의 에너지 준위가 달라보인다.
p타입이 더 위에 잇고 n타입은 상대적으로 아래 있다. 그럼 p타입의 준위가 더 높고 n타입은 더 낫은 에너준위를 갖는가?
2. 접합시 접합부근에 밴딩 (밴드 휩 현상) 있다. 밴드가 휘었다는 것 에너지 준위가 그 곳에서는 바뀐다는 것인가? 가령 밴드가 아래로 휜다면
휘지 않은 곳에 비하여 에너지 준위가 낮은 것을 의미하는 가?
입니다.
마지막으로 3. 에너지준위가 달라진다면 그 근원이 무엇이며
어떤 식으로 설명 될 수 있는가 ? 입니다.
빠른 답변 기대해 봅니다.
좋은 하루 되십시오. ㅎ |
|
