6718번 글을2011-07-09 오후 10:22:37에
얼씨구
님이
남겨주셨습니다.
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 질문.png(647/20Kbytes)
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교과서 마다 조금씩 차이가 있어서 질문을 올립니다.
질문1
일반적인 반도체는 전도대와 원자가 띠 중간쯤에 패르미 에너지가 있구요
p형 반도체나 n 형 반도체에서는 받개 준위나 주개 준위 쪽으로 약간 쏠려 있습니다.
바이저 현대물리책과 물리의 이해 사이트도 그렇게 나와있구요
그런데 제가 가진 리보프 양자역학 책에는 패르미 에너지가
P형 반도체는 받개 준위와 원자가띠 사이에,
N형 반도체는 주개 준위와 전도대 사이에 있더군요..
불순물이 들어가면 전자의 움직임은 거의 받개,주개 준위와 원자가띠/전도대 사이에서 일어나는데 리보프 교과서에 쓰여진 것이 맞지 않습니까?
질문2
PN접합에서 역바이어스에서
[첨부]파일참조
왼쪽사진 처럼 P형의 원자가 띠가 N형의 전도대를 넘지 않습니다.
바이저 책과 물리의 이해 사이트도 이렇게 나와있구요
그런데 이번에 나온 물리1 교과서에는 간격이 너무 벌어져서 오른쪽 처럼 P형의 원자가띠가 N형의 전도대 위에 있는 그림이 있었는데요
이 상태면 전자가 터널 효과가 일어나서 제너 다이오드 처럼 전류가 많이 흐를것 같습니다.
그런데 키탤 열물리 책을 봐도 오른쪽 처럼 그림이 그려져 있더라구요 ㅠㅜ
제가 무엇을 잘못 있는 것일까요ㅠㅠ
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[Re]띠 이론을 이용한 반도체설명